An integrated circuit and manufacturing method therefore is provided having a semiconductor substrate with a semiconductor device and a device dielectric layer formed on the semiconductor substrate. A channel dielectric layer on the device dielectric layer has a channel opening, a barrier layer lining the channel opening, and a conductor core filling the channel opening. A barrier layer is deposited which contains an element capable of reacting during thermal treatment with both the conductor core and the channel dielectric layer to form a barrier to diffusion of the material of the conductor core to the channel dielectric layer. The barrier layer reacts with the conductor core and the channel dielectric layer to form a compound which provides a bond which blocks surface diffusion and permits conductor core to conductor core diffusion in dual inlaid integrated circuits.

Eine Schaltung- und Produktionsmethode folglich wird versehen, ein Halbleitersubstrat habend mit einem Halbleiterelement und einer Vorrichtung dielektrischen Schicht, die auf dem Halbleitersubstrat gebildet werden. Eine Führung dielektrische Schicht auf der Vorrichtung dielektrischen Schicht hat eine Führung Öffnung, eine Grenzschicht, welche die Führung Öffnung zeichnen, und einen Leiterkern, der die Führung Öffnung füllt. Eine Grenzschicht wird niedergelegt, die ein Element enthält, das zum Reagieren fähig ist während der thermischen Behandlung mit dem Leiterkern und der Führung dielektrischen Schicht, zum einer Sperre zur Diffusion (Zerstäubung) des Materials des Leiterkernes zur Führung Nichtleiterschicht zu bilden. Die Grenzschicht reagiert mit dem Leiterkern und der Führung dielektrischen Schicht, um ein Mittel zu bilden, das eine Bindung liefert, die Oberflächendiffusion (Zerstäubung) blockiert und Leiterkern zur Leiterkerndiffusion (Zerstäubung) in den eingelegten Doppelintegrierten Schaltungen ermöglicht.