A buried heterostructure (BH) laser source with a narrow active region is disclosed for use in close proximity with optically-addressed data storage media for read/write functionality in a relatively high data density format. The BH laser source is formed on a pregrooved or prepatterned substrate to form mesas upon which epitaxial layers are formed to form laser source active regions that have small emission apertures at the laser source facet output. Selective removal of semiconductor cladding material and replacement of this material with lower refractive index materials provides a way of obtaining further mode size-reduction at the output facet of the laser source. Each mesa has a top surface and adjacent sidewalls such that in the growth of the epitaxial layers above the active region doped with a first conductivity type, the above active region epitaxial layers depositing on the top surface deposit as a first conductivity type and depositing on said sidewalls deposit as a second conductivity type. This growth construction provides for a naturally formed p-n junction at the laser source active region and eliminates the need to perform a subsequent diffusion process to form such a junction. The optical cavities of the laser sources may be tapered so that die cleaving a predetermined point along the length of the optical cavity will provide the desired emission aperture size at the laser source output facet.

Uma fonte de laser enterrada do heterostructure (BH) com uma região ativa estreita é divulgada para o uso na proximidade próxima com meios de armazenamento de dados de ótico-dirigidos para a funcionalidade de leitura/gravação em um formato relativamente elevado da densidade de dados. A fonte de laser de BH é dada forma em a pregrooved ou prepatterned a carcaça para dar forma aos mesas em cima de que as camadas epitaxial são dadas forma para dar forma às regiões ativas da fonte de laser que têm aberturas pequenas da emissão na saída do facet da fonte de laser. A remoção seletiva do material do cladding do semicondutor e da recolocação deste material com materiais mais baixos do índice refractive fornece uma maneira de obter uma tamanho-redução mais adicional da modalidade no facet da saída da fonte de laser. Cada mesa tem uma superfície superior e uns sidewalls adjacentes tais que no crescimento das camadas epitaxial acima da região ativa doped com um primeiro tipo do conductivity, as camadas epitaxial da região ativa acima que depositam no depósito da superfície superior enquanto um primeiro tipo do conductivity e depositar em sidewalls ditos depositam como um segundo tipo do conductivity. Esta construção do crescimento fornece para uma junção naturalmente dada forma do p-n na região ativa da fonte de laser e elimina a necessidade executar um processo subseqüente da difusão para dar forma a tal junção. As cavidades óticas das fontes de laser podem ser afiladas de modo que o dado que cleaving um ponto predeterminado ao longo do comprimento da cavidade ótica forneça o tamanho desejado da abertura da emissão no facet da saída da fonte de laser.