The MRAM architecture includes a data column of memory cells and a reference column, including a midpoint generator, positioned adjacent the data column on a substrate. The memory cells and the midpoint generator include similar magnetoresistive memory elements, e.g. MTJ elements. The MTJ elements of the generator are each set to one of Rmax and Rmin and connected together to provide a total resistance of a midpoint between Rmax and Rmin. A differential read-out circuit is coupled to the data column and to the reference column for differentially comparing a data voltage to a reference voltage.

L'architecture de MRAM inclut une colonne de données des cellules de mémoire et une colonne de référence, y compris un générateur de point médian, adjacent placé la colonne de données sur un substrat. Les cellules de mémoire et le générateur de point médian incluent les éléments magnétorésistants semblables de mémoire, par exemple éléments de MTJ. Les éléments de MTJ du générateur sont chaque ensemble à un de Rmax et de Rmin et relié ensemble pour fournir une résistance totale d'un point médian entre Rmax et Rmin. Un circuit différentiel de lecture est couplé à la colonne de données et à la colonne de référence pour comparer différentiel une tension de données à une tension de référence.