A device includes a silicon substrate provided with a coating including at least one stacking constituted by a plane of GaN or GaInN quantum dots emitting visible light at room temperature in a respective layer of AIN or GaN. The method of making the device is also disclosed. The device can be incorporated in electroluminescent devices and exchange devices, emitting white light in particular.

Un dispositivo include un substrato del silicone fornito di un rivestimento compreso almeno un impilamento costituito in piano puntini di quantum di GaInN o di GaN che emettono la luce visibile alla temperatura ambiente in uno strato rispettivo di AIN o di GaN. Il metodo di fabbricazione del dispositivo inoltre è rilevato. Il dispositivo può essere compreso in dispositivi elettroluminescenti e dispositivi di scambio, emettenti la luce bianca in particolare.