The present invention is a high quality semiconductor memory device using a ferroelectric thin film capacitor as a memory capacitor at a high manufacturing yield, the ferroelectric thin film of the capacitor is specified such that the relative standard deviation of crystal grain sizes is 13% or less, to thereby ensure a high remanent polarization value and a small film fatigue (large rewritable number).

La actual invención es un dispositivo de memoria de semiconductor de la alta calidad usando un condensador ferroelectric de la película fina como condensador de la memoria en una alta producción de la fabricación, la película fina ferroelectric del condensador se especifica tales que la desviación de estándar relativa de los tamaños de grano cristalinos es el 13% o menos, de tal modo para asegurar un alto valor remanente y una fatiga pequeña de la película (número reescribible grande) de la polarización.