A magnetic random access memory or the like has a plurality of magnetic storage elements laminated on a single transistor, resulting in a reduction in the number of necessary components and a considerable enhancement in the degree of integration of the memory. A magnetic random access memory or the like, comprises a plurality of magnetic storage elements for magnetically storing information, a plurality of bit lines, each of which connected to each of the plurality of magnetic storage elements, a plurality of writing word lines, each of which is provided in correspondence to the vicinity of each of the plurality of magnetic storage elements and utilized for applying magnetic field to write the information, a single reading word line, and a switch including a first terminal and a second terminal, the first terminal being connected to the single reading word line to be utilized for determining whether current is caused to flow to the second terminal, the second terminal being connected to each of the plurality of magnetic storage elements.

Een magnetisch directe toeganggeheugen of dergelijke hebben een meerderheid van magnetische opslagelementen die op één enkele transistor worden gelamineerd, die in een vermindering van het aantal noodzakelijke componenten en een aanzienlijke verhoging in de graad van integratie van het geheugen resulteert. Een magnetisch directe toeganggeheugen of dergelijke, bestaan uit een meerderheid van magnetische opslagelementen voor magnetisch het opslaan van informatie, een meerderheid van beetjelijnen, elk waarvan met elk van de meerderheid van magnetische opslagelementen, een meerderheid van het schrijven van woordlijnen verbond, elk waarvan in correspondentie aan de nabijheid van elk van de meerderheid van magnetische opslagelementen wordt verstrekt en voor het toepassen van magnetisch veld om de informatie te schrijven gebruikt, de enige lijn van het lezingswoord, en een schakelaar met inbegrip van een eerste terminal en een tweede terminal, de eerste terminal die aan de enige lijn van het lezingswoord dat voor het bepalen worden aangesloten moet worden gebruikt of de stroom om aan de tweede wordt veroorzaakt te stromen elk van de meerderheid van magnetische opslagelementen.