A simplified cleaning method for the removal of particulates and adherent residues resulting from the incorporation of laser identification marks onto silicon wafers is described. The cleaning method consists of first immersing the wafers in a heated ammoniacal/hydrogen peroxide RCA-SC-1 cleaning solution in the presence of megasonic agitation. This is followed by a immersion rinse in de-ionized water heated to at least 50.degree. C. Finally the wafers are subjected to at least three quick-dump rinses in room temperature de-ionized water and dried. It is found that the hot de-ionized water rinse provides adequate removal of chemical residues remaining after the particle dislodging action of the megasonically agitated RCA SC-1 solution to eliminate the need for application of the acidic/hydrogen peroxide RCA SC-2 treatment.

Um método de limpeza simplificado para a remoção dos particulates e dos resíduos adherent que resultam da incorporação de marcas de identificação do laser em wafers de silicone é descrito. O método de limpeza consiste primeiramente immersing os wafers em uma solução aquecida da limpeza do peroxide RCA-SC-1 de ammoniacal/hydrogen na presença do agitation megasonic. Isto é seguido por uma enxaguadura da imersão na água de-ionized aquecida ao menos a 50.degree. C. Finalmente os wafers são sujeitados ao menos a três enxaguaduras do rápido-quick-dump na água de-ionized da temperatura de quarto e secados. Encontra-se que a enxaguadura de água de-ionized quente fornece a remoção adequada dos resíduos químicos restantes após a ação desalojando da partícula da solução megasonically agitada de RCA SC-1 para eliminar a necessidade para a aplicação do tratamento do peroxide RCA SC-2 de acidic/hydrogen.