A semiconductor package including a semiconductor chip having bonding pads respectively arranged in a line adjacent to four sides of the upper surface; gold bumps formed on each bonding pad; a glass substrate which is made by forming metal patterns, the metal pattern including an inner pattern electrically connected to the bonding pad of the semiconductor chip through the gold bumps, an outer pattern, and a connecting pattern between the inner pattern and the outer pattern: a Dam having a frame-shape on the connecting pattern and surrounding the inner patterns; sealing material sealing the space between the glass substrate around the semiconductor chip and solder balls attached on the outer patterns of each metal pattern.

Ein Halbleiterpaket einschließlich einen Halbleiterspan, der die Abbindenauflagen beziehungsweise geordnet in einer Linie neben vier Seiten der Oberfläche hat; Goldstösse bildeten sich auf jeder Abbindenauflage; ein Glassubstrat, das gebildet wird, indem man Metallmuster, das Metallmuster einschließlich ein inneres Muster bildet, das elektrisch an die Abbindenauflage des Halbleiterspanes durch die Goldstösse angeschlossen werden, ein äußeres Muster und ein anschließendes Muster zwischen dem inneren Muster und dem äußeren Muster: eine Verdammung, die eine Rahmen-Form auf dem anschließenden Muster hat und die inneren Muster umgibt; Dichtung Material, das den Raum zwischen dem Glassubstrat um den Halbleiterspan und den Lötmittelkugeln angebracht auf den äußeren Mustern jedes Metallmusters versiegelt.

 
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