The fixed charge in a borophosphosilicate glass insulating film deposited on a semiconductor device is reduced by reacting an organic precursor such as TEOS with O.sub.3. When done at temperatures higher than approximately 480 degrees C., the carbon level in the resulting film appears to be reduced, resulting in a higher threshold voltage for field transistor devices.

Die örtlich festgelegte Aufladung in einem borophosphosilicate isolierenden Glasfilm, der auf einem Halbleiterelement niedergelegt wird, wird durch das Reagieren eines organischen Vorläufers wie TEOS mit O.sub.3 verringert. Wenn es bei den Temperaturen stark als ungefähr 480 Grad C. getan wird, scheint das Carbonniveau im resultierenden Film verringert zu werden, und das resultiert in einer höheren Schwelle Spannung für, auffangen Transistorvorrichtungen.