Onium salts of the formula (1) are novel. ##STR1## R.sup.1 is C.sub.1-10 alkyl or C.sub.6-14 aryl, R.sup.2 is H or C.sub.1-6 alkyl, p is an integer of 1 to 5, q is an integer of 0 to 4, p+q=5, R.sup.3 is C.sub.1-10 alkyl or C.sub.6-14 aryl, M is a sulfur or iodine atom, and "a" is equal to 3 or 2. A chemical amplification type resist composition comprising the onium salt as a photoacid generator is suited for microfabrication, especially by deep UV lithography because of many advantages including improved resolution, minimized line width variation or shape degradation even on long-term PED, minimized defect after coating, development and stripping, and improved pattern profile after development.

I sali di Onium della formula (1) sono romanzo. ## del ## STR1 R.sup.1 è alchile C.sub.1-10 o arile C.sub.6-14, R.sup.2 è alchile H o C.sub.1-6, la p è un numero intero di 1 - 5, la q è un numero intero di 0 - 4, p+q=5, R.sup.3 è alchile C.sub.1-10 o arile C.sub.6-14, la m. è un atomo dello iodio o dello zolfo e "la a" è uguale a 3 o a 2. Un tipo chimico di amplificazione resiste alla composizione che contiene il sale di onium mentre un generatore del photoacid è adatto per il microfabrication, particolarmente dalla litografia UV profonda a causa di molti vantaggi compreso risoluzione migliorata, la linea minimizzata variazione di larghezza o degradazione di figura anche su PED di lunga durata, il difetto minimizzato dopo avere ricoperto, lo sviluppo e mettere a nudo ed il profilo migliorato del modello dopo sviluppo.

 
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