Methods for depositing a low-k dielectric film on the surfaces of semiconductors and integrated circuits are disclosed. A Si--O--C-in-ring cyclic siloxane precursor compound is applied to the surface by chemical vapor deposition where it will react with the surface and form a film having a dielectric constant, k, less than 2.5. The compound generally has the formula (--O--R.sub.1 --O--)SiR.sub.2 R.sub.3 or the formula (--R.sub.1 --O--)SiR.sub.2 R.sub.3.

Οι μέθοδοι για μια διηλεκτρική ταινία χαμηλός-Κ στις επιφάνειες των ημιαγωγών και των ολοκληρωμένων κυκλωμάτων αποκαλύπτονται. Ένα Si -- ο -- siloxane γ-$$$-ΔΑΧΤΥΛΙΔΙΏΝ κυκλική ένωση προδρόμων εφαρμόζεται στην επιφάνεια από την απόθεση χημικού ατμού όπου θα αντιδράσει με την επιφάνεια και θα διαμορφώσει μια ταινία που έχει μια διηλεκτρική σταθερά, Κ, λιγότερο από 2,5. Η ένωση έχει γενικά τον τύπο (- - ο -- R.sub.1 -- ο -- )SiR.sub.2 R.sub.3 ή ο τύπος (- - R.sub.1 -- ο -- )SiR.sub.2 R.sub.3.