This invention provides a dielectric capacitor and its manufacturing method showing a good electric characteristic by preventing an external substance such as a reducing element from entering and diffusing into a dielectric film. In a ferroelectric capacitor C103, a first hydrogen diffusion prevention film 101 can prevent hydrogen generated during the film formation processes of oxide films 7 and 9 from entering and diffusing into a ferroelectric film 4. In addition, since the side wall part of the ferroelectric film 4 is covered with a second hydrogen diffusion prevention film 102, hydrogen is to be completely prevented from entering the internal part of the ferroelectric film 4 from the side wall part thereof. Consequently, the electric characteristic of the ferroelectric film 4 can be kept in good state. Further, since the second hydrogen diffusion prevention film 102 does not exist on the upper surface of the oxide film 7, the height of the ferroelectric capacitor C103 is to be minimized at a required level. This is advantageous for an entire part of a semiconductor device provided with the ferroelectric capacitor C103 to be made flat.

Αυτή η εφεύρεση παρέχει έναν διηλεκτρικό πυκνωτή και τη μέθοδο κατασκευής της που παρουσιάζουν καλό ηλεκτρικό χαρακτηριστικό με την παρεμπόδιση μιας εξωτερικής ουσίας όπως ένα μειώνοντας στοιχείο από την είσοδο και τη διάχυση σε μια διηλεκτρική ταινία. Σε έναν σιδηροηλεκτρικό πυκνωτή C103, μια πρώτη ταινία 101 πρόληψης διάχυσης υδρογόνου μπορεί να αποτρέψει το υδρογόνο που παράγεται κατά τη διάρκεια των διαδικασιών σχηματισμού ταινιών των ταινιών 7 και 9 οξειδίων από την είσοδο και τη διάχυση σε μια σιδηροηλεκτρική ταινία 4. Επιπλέον, δεδομένου ότι το μέρος πλευρικών τοίχων της σιδηροηλεκτρικής ταινίας 4 καλύπτεται με μια δεύτερη ταινία 102 πρόληψης διάχυσης υδρογόνου, το υδρογόνο πρόκειται να αποτραπεί εντελώς από να εισαγάγει το εσωτερικό μέρος της σιδηροηλεκτρικής ταινίας 4 από το μέρος πλευρικών τοίχων επ' αυτού. Συνεπώς, το ηλεκτρικό χαρακτηριστικό της σιδηροηλεκτρικής ταινίας 4 μπορεί να κρατηθεί στο καλό κράτος. Περαιτέρω, δεδομένου ότι η δεύτερη ταινία 102 πρόληψης διάχυσης υδρογόνου δεν υπάρχει στην ανώτερη επιφάνεια της ταινίας 7 οξειδίων, το ύψος του σιδηροηλεκτρικού πυκνωτή C103 πρόκειται να ελαχιστοποιηθεί σε απαραίτητο επίπεδο. Αυτό είναι συμφέρον για ένα ολόκληρο μέρος μιας συσκευής ημιαγωγών που παρέχεται το σιδηροηλεκτρικό πυκνωτή C103 για να γίνει επίπεδος.