The integrated memory has memory cells with a magnetoresistive memory effect connected to column lines and row lines. Each of the memory cells is respectively wired between one of the column lines and one of the row lines. They are constructed such that they can be disconnected from the respective column line and/or row line by conducting a given current through the respective memory cell. It is thus possible to achieve a relatively small outlay for repairing a memory in the event of a defect of a memory cell.

La memoria integrata ha cellule di memoria con un effetto magnetoresistente di memoria collegato alle linee di colonna ed alle linee di fila. Ciascuna delle cellule di memoria è legata rispettivamente fra una delle linee di colonna ed una delle linee di fila. Sono costruite tali che possono essere staccate dalla linea di colonna rispettiva e/o dalla linea di fila conducendo una data corrente attraverso la cellula di memoria rispettiva. È così possibile realizzare una spesa relativamente piccola per riparare una memoria in caso di un difetto di una cellula di memoria.