In the etching method, ozone water containing an oxidation agent having an oxidation-reduction potential of 2V or more is supplied onto a metal compound film such as SrRuO film or the like, and the metal compound film is etched by oxidation-reduction reaction involving oxygen. The metal compound film, which is conventionally removed by a physical removal method, can be easily removed by wet etching. Manufacture of a capacitor containing an SrRuO film and the like can thus be facilitated.

Dans la méthode gravure à l'eau-forte, l'eau de l'ozone contenant un agent d'oxydation ayant un potentiel d'oxydation/réduction de 2V ou de plus est fournie sur un film de composé en métal tel que le film de SrRuO ou analogues, et le film de composé en métal est gravé à l'eau-forte par la réaction d'oxydation/réduction impliquant l'oxygène. Le film de composé en métal, qui est par convention enlevé par une méthode physique de déplacement, peut être facilement enlevé par gravure à l'eau-forte humide. La fabrication d'un condensateur contenant un film de SrRuO et les semblables mettent en boîte soient facilités ainsi.