In manufacturing a semiconductor device, a metal polymer film and photoresist film are removed with an amine-based organic solvent subsequent to anisotropic etching of an insulating film on a bonding pad, an organic polymer film is removed with the oxygen plasma, and a wire is bonded to the bonding pad. In removal with the amine-based organic solvent, no aluminum oxide film is formed on the surface of the bonding pad. Pores are formed in the surface of the bonding pad upon removal, and the material of a wire bond enters these holes. As a result, a semiconductor device in which the wire bonded to the bonding pad hardly peels off can be manufactured.

Em manufaturar um dispositivo de semicondutor, uma película do polímero do metal e a película do photoresist são removidas com um solvente orgânico amine-baseado subseqüente gravura a água-forte anisotropic de uma película isolando em uma almofada de ligação, uma película orgânica do polímero é removida com o plasma do oxigênio, e um fio é ligado à almofada de ligação. Na remoção com o solvente orgânico amine-baseado, nenhuma película do óxido de alumínio é dada forma na superfície da almofada de ligação. Os pores são dados forma na superfície da almofada de ligação em cima da remoção, e o material de uma ligação do fio incorpora estes furos. Em conseqüência, um dispositivo de semicondutor em que o fio se ligou à almofada de ligação descasca mal fora pode ser manufactured.

 
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