A method for forming a silicone polymer insulation film having low relative dielectric constant, high thermal stability and high humidity-resistance on a semiconductor substrate is applied to a plasma CVD apparatus. The first step is vaporizing a silicon-containing hydrocarbon compound expressed by the general formula Si.sub..alpha. O.sub..beta. C.sub.x H.sub.y (.alpha.=3, .beta.=3 or 4, x, and y are integers) and then introducing the vaporized compound to the reaction chamber of the plasma CVD apparatus. The next step is introducing additive gas into the reaction chamber. The residence time of the material gas is lengthened by reducing the total flow of the reaction gas, in such a way as to formed a silicone polymer film having a micropore porous structure with low relative dielectric constant.

Um método para dar forma a uma película da isolação do polímero do silicone que tem a constante dieléctrica relativa baixa, a estabilidade térmica elevada e a umidade-resistência elevada em uma carcaça do semicondutor é aplicado a um instrumento do CVD do plasma. A primeira etapa está vaporizando um composto silicone-contendo do hidrocarboneto expressado pela fórmula geral Si.sub..alpha. O.sub..beta. C.sub.x H.sub.y (o alpha.=3, o beta.=3 ou 4, x, e y são inteiros) e então introduzir o composto vaporizado à câmara da reação do instrumento do CVD do plasma. A etapa seguinte está introduzindo o gás aditivo na câmara da reação. A época de residência do gás material é alongada reduzindo o fluxo total do gás de reação, em tal maneira a respeito de deu forma a uma película do polímero do silicone que tem uma estrutura porosa do micropore com constante dieléctrica relativa baixa.