In a nitride semiconductor of BpAlqGarInsN (0.ltoreq.p.ltoreq.1, 0.ltoreq.q.ltoreq.1, 0.ltoreq.r.ltoreq.1, 0.ltoreq.s.ltoreq.1, p+q+r+s=1), in particular a p-type nitride compound semiconductor, a point defect concentration of the p-type semiconductors is set to 1.times.10.sup.19 cm.sup.-3 or more. This makes it possible to obtain a high carrier concentration at room temperature.

Σε έναν ημιαγωγό νιτριδίων BpAlqGarInsN (0.ltoreq.p.ltoreq.1, 0.ltoreq.q.ltoreq.1, 0.ltoreq.r.ltoreq.1, 0.ltoreq.s.ltoreq.1, p+q+r+s=1), ειδικότερα ένας σύνθετος ημιαγωγός νιτριδίων π-τύπων, μια συγκέντρωση ατέλειας σημείου των ημιαγωγών π-τύπων τίθεται 1.times.10.sup.19 θμ.σuπ.-3 ή περισσότερο. Αυτό το καθιστά πιθανό να λάβει μια υψηλή συγκέντρωση μεταφορέων στη θερμοκρασία δωματίου.