In a semiconductor device, a contact layer is provided between a
silicon-containing insulating film SiO.sub.2, etc. or a metal wiring
layer, and a fluorine-containing carbon CF film to increase their
adhesion. For this purpose, SiC film deposition gases, such as SiH.sub.4
gas and C.sub.2 H.sub.4 gas, are excited into plasma to stack a SiC film
[200] as the contact layer on the top surface of a SiO.sub.2 film [110].
After that, switching of deposition gases is conducted for about 1 second
by introducing SiH.sub.4 gas, C.sub.2 H.sub.4 gas, C.sub.4 F.sub.8 gas and
C.sub.2 H.sub.4 gas. Subsequently, CF film deposition gases, such as
C.sub.4 F.sub.8 gas and C.sub.2 H.sub.4 gas, for example, are excited into
plasma to deposit[e] a CF film [120] on the SiC film [200]. In this way,
both the SiC film deposition gases and the CF film deposition gases exist
simultaneously during the deposition gas switching step, whereby Si--C
bonds are produced near the boundary between the SiC film [200] and the CF
film [120] across these films, and they enhance adhesion between these
films and hence increase adhesion of the SiO.sub.2 film [110] and the CF
film [120].
eines Halbleiterelements wird eine Kontaktschicht zwischen einem Silikon-enthaltenen isolierenden Film SiO.sub.2, etc. oder eine Metallverdrahtung Schicht und ein fluorhaltiger Carbon CF-Film zur Verfügung gestellt, um ihre Adhäsion zu erhöhen. Zu diesem Zweck werden SiC Film-Absetzunggase, wie Gas SiH.sub.4 und C.sub.2 H.sub.4 Gas, in Plasma aufgeregt, um einen SiC Film [ 200 ] zu stapeln wie die Kontaktschicht auf der Oberfläche eines Filmes SiO.sub.2 [ 110 ]. Nach diesem wird das Schalten der Absetzunggase für ungefähr 1 zweites geleitet, indem man Gas SiH.sub.4, C.sub.2 H.sub.4 Gas, C.sub.4 F.sub.8 Gas und C.sub.2 H.sub.4 Gas vorstellt. Nachher filmen CF Absetzung gast, wie C.sub.4 F.sub.8 Gas und C.sub.2 H.sub.4 Gas z.B. werden in Plasma zum deposit[e ] ein CF-Film aufgeregt [ 120] auf dem SiC Film [ 200 ]. Auf diese Art bestehen die SiC Film-Absetzunggase und die CF-Filmabsetzunggase gleichzeitig während des Absetzunggas-Schaltung Schrittes, hingegen Silikon -- C Bindungen werden nahe der Grenze zwischen dem SiC Film [ 200 ] und dem CF-Film [ 120 ] über diesen Filmen produziert, und sie erhöhen Adhäsion zwischen diesen Filmen und erhöhen folglich Adhäsion des Filmes SiO.sub.2 [ 110 ] und des CF-Filmes [ 120 ].
