A magnetoresitive random access memory (MRAM) configuration is described in which one switching transistor is respectively allocated to a plurality of TMR memory cells. In this manner, the space requirement for constructing the MRAM configuration is greatly reduced because the number of switching transistors required is greatly reduced. Therefore, the packing density of the MRAM configuration can be increased.

Μια magnetoresitive τυχαία διαμόρφωση μνήμης πρόσβασης (MRAM) περιγράφεται στην οποία μια κρυσταλλολυχνία μετατροπής διατίθεται αντίστοιχα σε μια πολλαπλότητα των κυττάρων μνήμης TMR. Με αυτόν τον τρόπο, η διαστημική απαίτηση για τη διαμόρφωση MRAM μειώνεται πολύ επειδή ο αριθμός κρυσταλλολυχνιών μετατροπής που απαιτείται μειώνεται πολύ. Επομένως, η πυκνότητα συσκευασίας της διαμόρφωσης MRAM μπορεί να αυξηθεί.