A read/write architecture for a MRAM is described. The read/write architecture uses resistance bridges during the read process, whereby a memory cell in the resistance bridges having a known state of magnetization is compared with a memory cell that is to be measured.

Un'architettura lettura /scrittura per un MRAM è descritta. L'architettura lettura /scrittura utilizza i ponticelli di resistenza durante il processo colto, per cui una cellula di memoria nei ponticelli di resistenza che fanno conosciuto dichiara di magnetizzazione è paragonata ad una cellula di memoria che deve essere misurata.