An MR sensor, a thin-film magnetic head and a thin-film wafer with a plurality of the thin-film magnetic heads having a MR multi-layered structure including a non-magnetic material layer, first and second ferromagnetic material layers (free and pinned layers) separated by the non-magnetic material layer, and an anti-ferromagnetic material layer formed adjacent to and in physical contact with one surface of the pinned layer, the one surface being on an opposite side of the pinned layer from the non-magnetic material layer, the multi-layered structure having ends in a direction parallel to a magnetically sensitive surface or an ABS, and longitudinal bias layers formed at both the ends of the MR multi-layered structure, for providing a longitudinal magnetic bias to the MR multi-layered structure. The MR multi-layered structure is shaped such that a magnetization direction of the pinned layer is inclined at an angle from an axis of easy magnetization of the pinned layer.

Ο Κ. αισθητήρας, ένα λεπτό μαγνητικό κεφάλι και μια λεπτή γκοφρέτα με μια πολλαπλότητα των λεπτών μαγνητικών κεφαλιών που έχουν τον Κ. πολυστρωματική δομή συμπεριλαμβανομένου ενός non-magnetic υλικού στρώματος, πρώτα και των δεύτερων σιδηρομαγνητικών υλικών στρωμάτων (ελεύθερα και καρφωμένα στρώματα) που χωρίστηκαν από το non-magnetic υλικό στρώμα, και ένα αντισιδηρομαγνητικό υλικό στρώμα που διαμορφώθηκε δίπλα και στη φυσική επαφή με μια επιφάνεια του καρφωμένου στρώματος, η μια επιφάνεια που είναι σε μια αντίθετη πλευρά του καρφωμένου στρώματος από το non-magnetic υλικό στρώμα, η πολυστρωματική δομή που έχει τις άκρες σε μια κατεύθυνση παράλληλη σε μια μαγνητικά ευαίσθητη επιφάνεια ή ένα ABS, και τα διαμήκη προκατειλημμένα στρώματα διαμόρφωσε και στις δύο άκρες του Κ. πολυστρωματική δομή, φηλμ μαγνετηθ χεαδς χαβηνγ α ΜΡ μuλτη-λαυερεδ στρuθτuρε ηνθλuδηνγ α νον-μαγνετηθ ματερηαλ λαυερ, φηρστ ανδ σεθονδ φερρομαγνετηθ ματερηαλ λαυερς (φρεε ανδ πηννεδ λαυερς) σεπαρατεδ ψυ τχε νον-μαγνετηθ ματερηαλ λαυερ, ανδ αν αντη-φερρομαγνετηθ ματερηαλ λαυερ φορμεδ αδιαθεντ το ανδ ην πχυσηθαλ θονταθτ ωητχ ονε σuρφαθε οφ τχε πηννεδ λαυερ, τχε ονε σuρφαθε ψεηνγ ον αν οπποσητε σηδε οφ τχε πηννεδ λαυερ φρομ τχε νον-μαγνετηθ ματερηαλ λαυερ, τχε μuλτη-λαυερεδ στρuθτuρε χαβηνγ ενδς ην α δηρεθτηον παραλλελ το α μαγνετηθαλλυ σενσητηβε σuρφαθε ορ αν ΑΨΣ, ανδ λονγητuδηναλ ψηας λαυερς φορμεδ ατ ψοτχ τχε ενδς οφ τχε ΜΡ μuλτη-λαυερεδ στρuθτuρε, φορ προβηδηνγ α λονγητuδηναλ μαγνετηθ ψηας το ο Κ. πολυστρωματική δομή. Ο Κ. πολυστρωματική δομή διαμορφώνεται έτσι ώστε μια κατεύθυνση μαγνήτισης του καρφωμένου στρώματος τείνει διαγωνίως από έναν άξονα της εύκολης μαγνήτισης του καρφωμένου στρώματος.

 
Web www.patentalert.com

< (none)

< 2-(Purin-9-yl)-tetrahydrofuran-3,4-diol derivatives

> Suspended micromachined structure

> (none)

~ 00040