A semiconductor crystal layer composed of GaN is grown on a base substrate composed of sapphire sandwiching a separating layer composed of AlN and a buffer layer composed of GaN. The separating layers and the buffer layers are distributed in the form of lines, and a flow-through hole for an etchant is formed in the side of these layers sandwiching an anti-growing film composed of SiO.sub.2. Thus, the etchant flows through the flow-through hole, the anti-growing film and the separating layer are etched, and the base substrate is easily isolated.

Uno strato di cristallo a semiconduttore composto di GaN si sviluppa su un substrato basso composto di zaffiro che intramezza uno strato di separazione composto di AlN e uno strato dell'amplificatore composto di GaN. Gli strati di separazione e gli strati dell'amplificatore sono distribuiti sotto forma di le linee e la a flu-attraverso il foro per un etchant è formata nel lato di questi strati che intramezzano una pellicola dicrescita composta di SiO.sub.2. Quindi, il etchant attraversa flu-attraverso il foro, la pellicola dicrescita e lo strato di separazione sono incisi ed il substrato basso è isolato facilmente.