A three-part etching process is employed to selectively pattern exposed magnetic film layers of a magnetic thin film structure. The magnetic structure to be etched includes at least one bottom magnetic film layer and at least one top film layer which are separated by a tunnel barrier layer. The three-part etching process employs various etching steps that selective removing various layers of the magnetic thin film structure stopping on the tunnel barrier layer. The first etching step selective removes any surface oxide that may be present in the passivating layer that is formed on the top magnetic thin film layer, the second etching step selectively removes portions of the passivating layer and the third etching step selectively removes a portion of the exposed magnetic film layer of the structure stopping on the tunnel barrier layer.

Un processus en trois parties gravure à l'eau-forte est utilisé pour modeler sélectivement des couches magnétiques exposées de film d'une structure magnétique de la couche mince. La structure magnétique à graver à l'eau-forte inclut au moins une couche magnétique inférieure de film et au moins une couche supérieure de film qui sont séparées par une couche-barrière de tunnel. Le processus en trois parties gravure à l'eau-forte utilise de diverses étapes gravure à l'eau-forte ces diverses couches d'enlèvement sélectives de la structure magnétique de la couche mince s'arrêtant sur la couche-barrière de tunnel. La première étape gravure à l'eau-forte sélective élimine n'importe quel oxyde extérieur qui peut être présent dans la couche isolante qui est formée sur la couche magnétique supérieure de la couche mince, la deuxième étape gravure à l'eau-forte enlève sélectivement des parties de la couche isolante et la troisième étape gravure à l'eau-forte enlève sélectivement une partie de la couche magnétique exposée de film de la structure s'arrêtant sur la couche-barrière de tunnel.