A static redundancy arrangement for a circuit using a focused ion beam anti-fuse methodology which reduces the circuit layout area and the switching activity compared to a prior art dynamic redundancy scheme, resulting in less power, a simpler design and higher speed. Focused ion beam anti-fuse methodology is used to program redundancy for circuits, particularly wide I/O embedded DRAM macros. An anti-fuse array circuit is comprised of a plurality of anti-fuse programming elements, each of which comprises a latch circuit controlled by a set input signal, and an anti-fuse device which is programmed by a focused ion beam.

Een statische overtolligheidsregeling voor een kring die een geconcentreerde methodologie gebruikt van de ionenstraal anti-zekering die het gebied van de kringslay-out en de omschakelingsactiviteit vermindert in vergelijking met een regeling van de vroegere kunst dynamische overtolligheid, resulterend in minder macht, een eenvoudiger ontwerp en een hogere snelheid. De geconcentreerde methodologie van de ionenstraal anti-zekering wordt gebruikt aan programmaovertolligheid voor kringen, in het bijzonder brede I/O ingebedde DRAM macro's. Een kring van de anti-zekeringsserie wordt samengesteld van een meerderheid van anti-zekering programmeringselementen, elk waarvan uit een klinkkring bestaat die door een vastgesteld inputsignaal wordt gecontroleerd, en een anti-zekeringsapparaat dat door een geconcentreerde ionenstraal wordt geprogrammeerd.

 
Web www.patentalert.com

< (none)

< Transistor metal gate structure that minimizes non-planarity effects and method of formation

> Wet chemical etch process for patterning MRAM magnetic layers

> (none)

~ 00039