The present invention is for an improved modulator and detection device that use reversed biased diodes containing not intentionally doped (NID) optically active regions sandwiched between conductive layers of p-doped and n-doped semiconductor layers. A photo-current is generated using the optical non-linearity of multiple quantum structures inside the active region and that can be used in an external circuit to provide feedback to the device itself. This is commonly referred to as the self electro-optic effect device (SEED) where the applied electric field modulates the absorption (excitonic in nature due to the reduced dimensionality of the quantum well) of the active layer by the use of the quantum confined Stark effect. The present invention seeks to improve on known devices by separating the photo-current from the perpendicular biased electric field so as to produce a four electrical port device, by simultaneously applying non-parallel fields. In an optimum configuration one applies both perpendicular and parallel electric fields (that may be intrinsically or externally applied) to a material containing two-dimensional quantum wells (or superlattice) one dimensional quantum wires or zero dimensional quantum dots (comprising the active regions).

Присытствыющий вымысел для улучшенных модулятора/демодулятор и приспособления обнаружения используют обращенные biased диоды содержа преднамеренно данные допинг (NID) оптически активно зоны прослоенные между проводными слоями п-dannyx допинг и н-dannyx допинг слоев полупроводника. Произведено фото-v настоящее время использующ оптически нелинейность множественных структур суммы внутри активно зоны и то можно использовать в внешней цепи для того чтобы снабдить обратную связь самое приспособление. Это общ названо приспособление влияния собственной личности electro-optic (СЕМЯ) где applied электрическое поле модулирует абсорбциу (excitonic по сути должный к уменьшенной размерности добра суммы) активно слоя пользой влияния ограниченного суммой штарковского. Присытствыющий вымысел изыскивает улучшить на знанных приспособлениях путем отделять фото-v настоящее время от перпендикулярного biased электрического поля для того чтобы произвести электрическое port приспособление 4, одновременно прикладывать non-parallel поля. В оптимальной конфигурации одно прикладывает и перпендикулярные и параллельные электрические поля (могут внутреннеприсуще или внешн примениться) к материалу содержа плоские добра суммы (или superlattice) проводы одной габаритные суммы или многоточия нул габаритные сумм (состоя из активно зон).