The invention relates to an MRAM memory cell including a magnetoresistive resistor and a switching transistor. The magnetoresistive resistor is located between a central metallization plane and an upper metallization plane. The central metallization plane serves for the word line stitch and also for writing. A word line BOOST circuit is provided in the stitch region of each cell, with the result that the critical voltage is not reached in the magnetoresistive resistor and the switching transistor can nevertheless be turned on.

La invención se relaciona con una célula de memoria de MRAM incluyendo un resistor magnetoresistente y un transistor de la conmutación. El resistor magnetoresistente está situado entre un plano central de la metalización y un plano superior de la metalización. El plano central de la metalización sirve para la línea puntada de la palabra y también para la escritura. Una línea circuito de la palabra del ALZA se proporciona en la región de la puntada de cada célula, del resultado que el voltaje crítico no está alcanzado en el resistor magnetoresistente y el transistor de la conmutación se puede sin embargo girar.