A substrate processing method of processing a surface of a substrate in manufacture of a semiconductor device, characterized by comprising a surface processing step for making a substance having an adsorption heat higher than that of an organic matter whose adsorption on the surface of the substrate, which has been cleaned, is undesirable, adsorbed on the surface of the substrate, and a film formation step for forming a thin film on the surface of the substrate which was processed in the above step.

Eine Verarbeitungsmethode des Substrates der Verarbeitung einer Oberfläche eines Substrates in der Herstellung eines Halbleiterelements, gekennzeichnet, durch das Enthalten eines Oberflächenverarbeitungsschrittes für das Bilden einer Substanz, die eine Aufnahmehitze höher als die einer organischen Angelegenheit hat, deren Aufnahme auf der Oberfläche des Substrates, das gesäubert worden ist, nicht wünschenswert ist, absorbiert auf der Oberfläche des Substrates und ein Filmanordnung, Schritt für die Formung eines Dünnfilms auf der Oberfläche des Substrates, das im oben genannten Schritt verarbeitet wurde.