A line for processing semiconductor wafers into integrated circuits (ICs)
is provided with an input-output (I-O) chamber to help purge residual
contamination from the wafers before they are transferred into a
processing line. After a cassette containing semiconductor wafers is
placed in the chamber, it is sealed from the line and from the atmosphere.
Then a dry inert gas such as nitrogen is dispersed into the top of the
chamber to form a covering blanket around the wafers to displace and sweep
away contaminants such as air-borne particles, moisture and organic
vapors. While the purge gas is flowing, gasses and residual contamination
are exhausted from the bottom of the chamber at a relatively slow rate
until an intermediate pressure level is reached at which pressure droplets
of liquid from residual moisture and vapor can no longer condense. Then
the flow of purge gas is stopped and the pressure within the chamber is
relatively quickly reduced to a base operating value (e.g., a fraction of
a Torr), after which the wafers can be transferred to the line for
processing into ICs.
Una línea para procesar las obleas de semiconductor en los circuitos integrados (ICs) se proporciona un compartimiento de la entrada-salida (I-O) a la contaminación residual de la purgación de la ayuda de las obleas antes de que se transfieran en una línea de proceso. Después de un cassette contener las obleas de semiconductor se coloca en el compartimiento, se sella de la línea y de la atmósfera. Entonces un gas inerte seco tal como nitrógeno se dispersa en la tapa del compartimiento para formar una manta de la cubierta alrededor de las obleas para desplazar y para barrer los contaminantes ausentes tales como partículas aerotransportadas, humedad y vapores orgánicos. Mientras que está fluyendo el gas de la purgación, los gases y la contaminación residual se agotan del fondo del compartimiento en una tarifa relativamente lenta hasta que se alcanza un nivel intermedio de la presión en el cual las gotitas de la presión del líquido de la humedad y del vapor residuales pueden condensan no más de largo. Entonces el flujo del gas de la purgación se para y la presión dentro del compartimiento se reduce relativamente rápidamente a un valor de funcionamiento bajo (e.g., una fracción de un torr), después de lo cual las obleas se pueden transferir a la línea para procesar en ICs.
