A bulk acoustic resonator having a high quality factor is formed on a substrate having a depression formed in a top surface of the substrate. The resonator includes a first electrode, a piezoelectric material and a second electrode. The first electrode is disposed on the top surface of the substrate and extends beyond the edges of the depression by a first distance to define a first region therebetween. The piezoelectric material is disposed on the top surface of the substrate and over the first electrode, and the second electrode is disposed on the piezoelectric material. The second electrode includes a portion that is located above the depression. The portion of the second electrode that is located over the depression has at least one edge that is offset from a corresponding edge of the depression by a second distance to define a second region therebetween. The first and second regions have different impedances, as a result of the different materials located in the two regions. In addition, the first and second distances are approximately equal to a quarter-wavelength of a sound wave travelling laterally across the respective region, such that reflections off of the edges of the regions constructively interfere to maximize the reflectivity of the resonator.

Ein akustischer Massenresonator, der einen hohe Qualitätsfaktor hat, wird auf einem Substrat gebildet, das einen Tiefstand sich bilden läßt in einer Oberfläche des Substrates. Der Resonator schließt eine erste Elektrode, ein piezoelektrisches Material und eine zweite Elektrode mit ein. Die erste Elektrode wird auf der Oberfläche des Substrates abgeschaffen und verlängert über den Rändern des Tiefstands hinaus durch einen ersten Abstand, um eine erste Region zu definieren therebetween. Das piezoelektrische Material wird auf der Oberfläche des Substrates und des Überschusses die erste Elektrode abgeschaffen, und die zweite Elektrode wird auf dem piezoelektrischen Material abgeschaffen. Die zweite Elektrode schließt einen Teil ein, der über dem Tiefstand errichtet wird. Der Teil der zweiten Elektrode, die über dem Tiefstand errichtet wird, hat mindestens einen Rand, der von einem entsprechenden Rand des Tiefstands durch einen zweiten Abstand versetzt wird, um eine zweite Region zu definieren, therebetween. Die ersten und zweiten Regionen haben unterschiedliche Widerstände, resultierend aus den unterschiedlichen Materialien, die in den zwei Regionen gelegen sind. Zusätzlich sind die ersten und zweiten Abstände einer Viertel-Wellenlänge einer Schallwelle ungefähr gleich, die seitlich über der jeweiligen Region, so fortpflanzt, daß Reflexionen weg der Ränder der Regionen konstruktiv behinderen, um das Reflexionsvermögen des Resonators zu maximieren.