A film-forming composition comprising: (A) at least one silane compound selected from the group consisting of a compound shown by the following formula (1), a compound shown by the following formula (2), and a compound shown by the following formula (3) and a hydrolysis condensate of these compounds: R.sup.2 R.sup.3 Si(OR.sup.1).sub.2 (1) R.sup.2 Si(OR.sup.1).sub.3 (2) Si(OR.sup.1).sub.4 (3) wherein R.sup.1, R.sup.2, and R.sup.3 individually represent a monovalent organic group, (B) a polyether shown by the formula (PEO).sub.p --(PPO).sub.q --(PEO).sub.r, wherein PEO represents a polyethylene oxide unit, PPO represents a polypropylene oxide unit, p is a number of 2-200, q is a number of 20-80, and r is a number of 2-200, and (C) an organic solvent. The composition exhibits superior storage stability, is capable of producing a low-density film having a small relative dielectric constant, low water absorption properties, and small vacant space size, and is thus suitable as an interlayer dielectric material in the manufacture of semiconductor devices.

Film-forming состав состоя из: (A) по крайней мере одно составное силана выбранное от группы consist of смесь показанная following формулой (1), смесь показанная following формулой (2), и смесь показанная following формулой (3) и конденсатом гидролиза этих смешивает: R.sup.2 R.sup.3 Si(OR.sup.1).sub.2 (1) R.sup.2 Si(OR.sup.1).sub.3 (2) Si(OR.sup.1).sub.4 (3) при котором R.sup.1, R.sup.2, и R.sup.3 индивидуально представляют моновалентную органическую группу, (B) polyether показанный формулой (PEO).sub.p -- (PPO).sub.q -- (PEO).sub.r, при котором PEO представляет блок окиси полиэтилена, PPO представляет блок окиси полипропилена, п нескольк 2-200, ц нескольк 20-80, и р будет нескольк 2-200, и (C) органическим растворителем. Состав exhibits главная стабилность хранения, способен производить low-density пленку имея малую относительную диэлектрическую константу, низкие свойства абсорбциы воды, и малый вакантный размер космоса, и таким образом целесообразн как материал прослойка диэлектрический в изготовлении прибора на полупроводниках.

 
Web www.patentalert.com

< (none)

< Triple-layered low dielectric constant dielectric dual damascene approach

> Laser shock peening quality assurance by ultrasonic analysis

> (none)

~ 00039