A triple layered low dielectric constant material dual damascene metallization process is described. Metal lines are provided covered by an insulating layer overlying a semiconductor substrate. A first dielectric layer of a first type is deposited overlying the insulating layer. A second dielectric layer of a second type is deposited overlying the first dielectric layer. A via pattern is etched into the second dielectric layer. Thereafter, a third dielectric layer of the first type is deposited overlying the patterned second dielectric layer. Simultaneously, a trench pattern is etched into the third dielectric layer and the via pattern is etched into the first dielectric layer to complete the formation of dual damascene openings in the fabrication of an integrated circuit device. If the first type is a low dielectric constant organic material, the second type will be a low dielectric constant inorganic material. If the first type is a low dielectric constant inorganic material, the second type will be a low dielectric constant organic material.

Um processo damascene duplo material baixo mergulhado triplo do metallization da constante dieléctrica é descrito. As linhas do metal são fornecidas cobriram por uma camada isolando que overlying uma carcaça do semicondutor. Uma primeira camada dieléctrica de um primeiro tipo é depositada que overlying a camada isolando. Uma segunda camada dieléctrica de um segundo tipo é depositada que overlying a primeira camada dieléctrica. A através do teste padrão é gravado na segunda camada dieléctrica. Depois disso, uma terceira camada dieléctrica do primeiro tipo é depositada que overlying a segunda camada dieléctrica modelada. Simultaneamente, um teste padrão da trincheira é gravado na terceira camada dieléctrica e através do teste padrão é gravado na primeira camada dieléctrica para terminar a formação de aberturas damascene duplas na fabricação de um dispositivo do circuito integrado. Se o primeiro tipo for um material orgânico baixo da constante dieléctrica, o segundo tipo será um material inorgánico baixo da constante dieléctrica. Se o primeiro tipo for um material inorgánico baixo da constante dieléctrica, o segundo tipo será um material orgânico baixo da constante dieléctrica.