A method of planarizing an insulating layer for a semiconductor device, whereby a semiconductor substrate having a stepped surface due to material layer patterns of various sizes on the surface thereof is prepared. An interlayer insulating layer formed of an organic, low dielectric material covers the stepped surface of the semiconductor substrate. A capping insulating layer is formed on the interlayer insulating layer. A portion of the interlayer insulating layer which is higher than another portion of the interlayer insulating layer is selectively exposed by performing a partial chemical-mechanical polishing process on the capping insulating layer. The exposed portion of the interlayer insulating layer is plasma-processed to a predetermined depth. An entirely planarized interlayer insulating layer is formed by performing a blanket chemical-mechanical polishing process on the plasma processed portion of the interlayer insulating layer and the capping insulating layer. A silicon-methyl group bond is transformed into a silicon-hydroxide group bond by the plasma process in the organic low dielectric material.

Eine Methode von Planarizing eine Isolierschicht für ein Halbleiterelement, hingegen ein Halbleitersubstrat, das getretenes Oberflächenwegen der materiellen Schichtmuster der verschiedenen Größen auf der Oberfläche davon hat, vorbereitet wird. Eine Isolierschicht der Zwischenlage bildete sich von organischen, niedrigen dielektrischen Materialabdeckungen die getretene Oberfläche des Halbleitersubstrates. Eine mit einer Kappe bedeckende Isolierschicht wird auf der Isolierschicht der Zwischenlage gebildet. Ein Teil der Isolierschicht der Zwischenlage, die höher ist, als ein anderer Teil der Isolierschicht der Zwischenlage wird selektiv herausgestellt, indem man einen teilweisen Chemikalie-mechanischen Polierprozeß auf der mit einer Kappe bedeckenden Isolierschicht durchführt. Der herausgestellte Teil der Isolierschicht der Zwischenlage wird zu einer vorbestimmten Tiefe Plasma-verarbeitet. Planarized völlig Isolierschicht der Zwischenlage wird gebildet indem das Durchführen eines umfassenden Chemikalie-mechanischen Polierprozesses auf dem Plasma verarbeiteten Teil der Isolierschicht der Zwischenlage und der mit einer Kappe bedeckenden Isolierschicht. Eine Silikon-Methyl- Gruppe Bindung wird in eine Silikon-Hydroxid Gruppe Bindung durch den Plasmaprozeß im organischen niedrigen dielektrischen Material umgewandelt.