A method for providing a mathematical expression representing the operation of a field-effect transistor in its saturation region is disclosed. Data representing the operation of the transistor is divided into data segments with a monomial function fitted to each of the segments. The data segments are selected for a particular operating parameter such as transconductance based on knowledge of the transistor operation. The error at the transition from one function to another is checked and the data segments redivided to minimize the error. The resulting expression lends itself to global solution with geometric programs.

Une méthode pour fournir une expression mathématique représentant le fonctionnement d'un transistor d'effet de champ dans sa région de saturation est révélée. Des données représentant le fonctionnement du transistor sont divisées en segments de données avec une fonction de monôme adaptée à chacun des segments. Les segments de données sont choisis pour un paramètre d'emploi particulier tel que le transconductance basé sur la connaissance de l'opération de transistor. L'erreur à la transition d'une fonction à l'autre est vérifiée et les segments de données redivided pour réduire au minimum l'erreur. L'expression résultante se prête à la solution globale avec des programmes géométriques.