A method for improving the moisture absorption of porous low dielectric film in an interconnect structure is disclosed. The porous low-k dielectric layer such as porous hydrosilsesquioxane (porous HSQ) or porous methyl silsesquioxane (porous MSQ) is spun-on the etching stop layer. After plasma process, the porous low dielectric film has a plurality of dangling bonds. Then, the wafer is placed in the supplementary instrument with hydrophobic reactive solution. Next, the hydrophobic protection film is formed on surface and sidewall of porous low-k dielectric film to improve the moisture absorption of porous low-k dielectric film and the leakage current is reduced in subsequently processes.

Un método para mejorar la absorción de la humedad de la película dieléctrica baja porosa en una estructura de la interconexión se divulga. La capa dieléctrica baja-k porosa tal como hydrosilsesquioxane poroso (HSQ poroso) o silsesquioxane metílico poroso (MSQ poroso) está hacer girar-en la capa de la parada de la aguafuerte. Después de proceso del plasma, la película dieléctrica baja porosa tiene una pluralidad de enlaces que cuelgan. Entonces, la oblea se coloca en el instrumento suplementario con la solución reactiva hidrofóbica. Después, la película hidrofóbica de la protección se forma en superficie y el flanco de la película dieléctrica baja-k porosa para mejorar la absorción de la humedad de la película dieléctrica baja-k porosa y de la corriente de la salida se reduce en posteriormente procesos.