A magnetoresistive memory fabricated on a common substrate. The memory including first and second spaced apart magnetoresistive memory arrays each including a plurality of MTJ memory cells arranged in rows and columns and a plurality of word/digit lines associated with the rows of magnetoresistive memory cells of each of the arrays. Switching circuitry is positioned on the substrate between the first and second arrays and designed to select a word/digit line in one of the first and second arrays. A current source is positioned on the substrate adjacent and coupled to the switching circuitry for supplying programming current to the selected word/digit line.

Μια magnetoresistive μνήμη που κατασκευάζεται σε ένα κοινό υπόστρωμα. Η μνήμη συμπεριλαμβανομένου πρώτα και το δευτερόλεπτο χώρισαν κατά διαστήματα χώρια τις magnetoresistive σειρές μνήμης κάθε μια συμπεριλαμβανομένης μιας πολλαπλότητας των κυττάρων μνήμης MTJ που τακτοποιήθηκαν στις σειρές και τις στήλες και μιας πολλαπλότητας των γραμμών λέξης/ψηφίων που συνδέθηκαν με τις σειρές των magnetoresistive κυττάρων μνήμης κάθε μια από τις σειρές. Τα στοιχεία κυκλώματος μετατροπής τοποθετούνται στο υπόστρωμα μεταξύ των πρώτων και δεύτερων σειρών και σχεδιάζονται για να επιλέξουν μια γραμμή λέξης/ψηφίων σε μια από τις πρώτες και δεύτερες σειρές. Μια τρέχουσα πηγή τοποθετείται στο υπόστρωμα παρακείμενο και συνδέεται με τα στοιχεία κυκλώματος μετατροπής για την παροχή του ρεύματος προγραμματισμού με την επιλεγμένη γραμμή λέξης/ψηφίων.