A process for producing a multi-level semiconductor device having metal
interconnections with insulating passivation layers and the product
produced thereby. The product and process improve the resistance of the
metallization interconnections to extrusion-short electromigration
failures by preventing the insulating passivation layers from cracking.
The product and process also reduce the level of resistance saturation or
the maximum resistance shift caused by electromigration. By replacing
wide-line metallization interconnection conducting lines surrounded by
insulating passivation layers with two or more narrow, parallel conducting
lines having aspect ratios less than or equal to unity with passivation
layers located in between, the incidence of passivation cracking and
extrusion-short failures is reduced. The process is especially suited for
use in multi-level wiring structures in which the wiring levels have
diffusion barriers between the wiring levels caused by redundant
metallization layers, interlevel connections, or both.
Un proceso para producir un dispositivo de semiconductor de niveles múltiples que hace las interconexiones del metal con capas aisladores de la pasivación y el producto producir de tal modo. El producto y el proceso mejoran la resistencia de las interconexiones de la metalización a las faltas protuberancia-cortas de la electromigración evitando que las capas aisladores de la pasivación se agrieten. El producto y el proceso también reducen el nivel de la saturación de la resistencia o la cambio máxima de la resistencia causada por la electromigración. Substituyendo la ancho-li'nea líneas que conducen de la interconexión de la metalización rodeadas por capas aisladores de la pasivación por dos o más el estrecho, las líneas que conducen paralelas que tienen cocientes de aspecto menos que o igual a la unidad por la pasivación acodan localizado mientras tanto, la incidencia de la pasivación que se agrieta y se reducen las faltas protuberancia-cortas. El proceso se satisface especialmente para el uso en las estructuras de niveles múltiples del cableado en las cuales los niveles del cableado tienen barreras de difusión entre los niveles del cableado causados por capas redundantes de la metalización, las conexiones del interlevel, o ambas.