The present invention relates to an enhanced non-sequential atomic layer deposition (ALD) technique suitable for deposition of barrier layers, adhesion layers, seed layers, low dielectric constant (low-k) films, high dielectric constant (high-k) films, and other conductive, semi-conductive, and non-conductive films. This is accomplished by 1) providing a non-thermal or non-pyrolytic means of triggering the deposition reaction; 2) providing a means of depositing a purer film of higher density at lower temperatures; and, 3) providing a faster and more efficient means of modulating the deposition sequence and hence the overall process rate resulting in an improved deposition method.

La presente invenzione riguarda una tecnica atomica non sequenziale aumentata di deposito di strato (ALD) adatta per il deposito degli strati di sbarramento, degli strati di adesione, degli strati del seme, delle pellicole (basse-K) basse di costante dielettrico, di alte pellicole di costante dielettrico (alte-K) e di altre pellicole conduttive, semi-conduttive e non-conductive. Ciò è compiuta 1) fornendo un modo non-termico o non-pirolitico di innescare la reazione di deposito; 2) fornire mezzi di depositare una pellicola più pura di più alta densità alle temperature più insufficienti; e, 3) fornendo un modo più veloce e più efficiente di modulazione la sequenza di deposito e quindi del tasso trattato generale con conseguente metodo migliorato di deposito.