A semiconductor device is structured to include a wiring made of Al, a first insulation film made of silicon oxide including an organic content formed in contact with an upper surface of the wiring, and a second insulation film formed in contact with an upper surface of the first insulation film and made of an F-added SiO.sub.2 film having a higher Young's modulus than that of the first insulation film. The wiring has a film thickness d.sub.M of 400 nm, the first insulation film has a film thickness ds of 400 nm, and the second insulation film has a film thickness d.sub.h of 10 nm.

Een halfgeleiderapparaat is gestructureerd om een bedrading gemaakt van Al, een eerste isolatiefilm die van siliciumoxyde wordt gemaakt met inbegrip van een organische inhoud die in contact met een hogere oppervlakte van de bedrading wordt gevormd, en een tweede isolatiefilm die in contact met een hogere oppervlakte van de eerste isolatiefilm wordt en te omvatten die van een F-Toegevoegde film SiO.sub.2 wordt gemaakt gevormd die een hogere modulus van Jongelui heeft dan dat van de eerste isolatiefilm. De bedrading heeft een filmdikte d.sub.M van 400 NM, heeft de eerste isolatiefilm een filmdikte ds van 400 NM, en de tweede isolatiefilm heeft een filmdikte d.sub.h van 10 NM.