A semiconductor fabrication technique for forming a ferroelectric
capacitor, in which the thermal burden is reduced by using an SBT-based
ferroelectric thin film such as Sr.sub.x Bi.sub.y Ta.sub.2 O.sub.9 (`SBT`)
or Sr.sub.x Bi.sub.y (Ta.sub.i Nb.sub.j).sub.2 O.sub.9 (`SBT(N)`) as the
dielectric medium. The method includes the following steps. A
strontium-bismuth-tantalum oxide film is formed on a semiconductor
substrate, with a conductive film for a lower electrode having been formed
on the semiconductor substrate (first step). An NH.sub.3 gas is flowed at
a stabilizing step of a rapid thermal annealing so as to reduce organic
materials bonded with metal elements of the strontium-bismuth-tantalum
oxide film (second step). An oxide gas is flowed at a temperature of
450.about.650.degree. C. at an annealing step of the rapid thermal
annealing so as to induce a perovskite nuclear formation in the
strontium-bismuth-tantalum oxide film (third step). A furnace annealing is
then carried out so as to induce a grain growth in the
strontium-bismuth-tantalum oxide film (fourth step).
Метод изготовления полупроводника для формировать ferroelectric конденсатор, в который термально тягота уменьшена путем использование СБТ-osnovanno1 ferroelectric тонкой пленки such as Sr.sub.x Bi.sub.y Ta.sub.2 O.sub.9 (`SBT`) или Sr.sub.x Bi.sub.y (Ta.sub.i Nb.sub.j).sub.2 O.sub.9 (`SBT(N)`) как диэлектрическое средство. Метод вклюает following шаги. Пленка окиси стронци-висмут-tantala сформирована на субстрате полупроводника, с проводной пленкой для более низкого электрода будучи сформированной на субстрате полупроводника (первыйа шаг). Газ NH.sub.3 пропущен на стабилизируя шаге быстро термально отжига для уменьшения органических материалов скрепленных с элементами металла пленки окиси стронци-висмут-tantala (второго шага). Газ окиси пропущен на температуре 450.about.650.degree. C на шаге отжига быстро термально отжига навести образование перовскита ядерное в пленке окиси стронци-висмут-tantala (третьем шаге). Отжиг печи после этого снесен вне для того чтобы навести рост зерна в пленке окиси стронци-висмут-tantala (четвертом шаге).
