Certain embodiments provide a manufacturing method for a semiconductor device, in which an organic antireflection film can be etched while a resist layer maintains dimensions thereof. The method includes forming an oxide layer 24 on a p-type silicon substrate 10, and forming a polysilicon layer 26 on the oxide layer 24. An organic antireflection film 30 is formed on the polysilicon layer 26, and a resist layer R having a predetermined pattern is formed on a surface of the organic antireflection film 30. The method as includes etching the organic antireflection film 30 by using the resist layer R, in which an etching gas includes at least one of an oxygen-based gas and a chlorine-based gas, and forming a gate electrode by etching the polysilicon layer 26 with a predetermined pattern.

Determinati incorporamenti forniscono un metodo di fabbricazione per un dispositivo a semiconduttore, in cui una pellicola organica di antiriflessione può essere incisa mentre uno strato di resistenza effettua le dimensioni di ciò. Il metodo include formare uno strato 24 dell'ossido su un p-tipo il substrato 10 del silicone e formando un polysilicon faccia uno strato di 26 sullo strato 24 dell'ossido. Una pellicola organica 30 di antiriflessione è formata sullo strato 26 del polysilicon e uno strato R di resistenza che ha un modello predeterminato è formato su una superficie della pellicola organica 30 di antiriflessione. Il metodo come include incidendo la pellicola all'acquaforte organica 30 di antiriflessione usando lo strato R di resistenza, in cui un gas acquaforte include almeno uno di un gas basato sull'impiego dell'ossigeno e di un gas cloro-basato e formando un elettrodo di cancello incidendo il polysilicon all'acquaforte fa uno strato di 26 con un modello predeterminato.