In a semiconductor device comprising first and second layer wirings formed with a space left therebetween and a capacitor formed in the space and electrically connected to the first and the second layer wirings, the capacitor comprises a via electrically connected to one of the first and the second layer wirings, an electrode made of a conductive material and electrically connected to the one of the first and the second layer wirings through the via, and a dielectric film formed between the electrode and the other of the first and the second layer wirings.

In halfgeleiderapparaat het bestaan eerst uit en tweede laag therebetween de bedradingen gevormd met een ruimtelinkerzijde en een condensator die in de ruimte wordt gevormd en die elektrisch met de eerste en tweede laag bedradingen wordt verbonden, de condensator bestaat uit a via elektrisch verbonden met één van de eerste en de tweede laag bedrading, een elektrode gemaakt van een geleidend materiaal en elektrisch verbonden met één van de eerste en de tweede laag bedradingen door via, en een diëlektrische film die tussen de elektrode wordt gevormd en andere van de eerste en de tweede laag bedradingen.

 
Web www.patentalert.com

< (none)

< Cationic polymer-modified silica dispersion and production process for the same

> Metal oxide compositions and methods

> (none)

~ 00038