In a process for treating a workpiece such as a semiconductor wafer, a processing fluid is selectively applied or excluded from an outer peripheral margin of at least one of the front or back sides of the workpiece. Exclusion and/or application of the processing fluid occurs by applying one or more processing fluids to the workpiece while the workpiece and a reactor holding the workpiece are spinning. The flow rate of the processing fluids, fluid pressure, and/or spin rate are used to control the extent to which the processing fluid is selectively applied or excluded from the outer peripheral margin.

En un proceso para tratar un objeto tal como una oblea de semiconductor, un líquido de proceso se aplica o se excluye selectivamente de un margen periférico externo de por lo menos uno de los lados delanteros o traseros del objeto. La exclusión y/o el uso del líquido de proceso ocurre aplicando uno o más que procesan los líquidos al objeto mientras que el objeto y un reactor que sostienen el objeto están haciendo girar. El caudal de los líquidos de proceso, la presión del líquido, y/o la tarifa de la vuelta se utilizan para controlar el grado a el cual el líquido de proceso se aplica o se excluye selectivamente del margen periférico externo.