There are provided a circuit designing method using a half-tone phase shift mask for forming a circuit pattern on a semiconductor substrate, and a computer-readable medium having recorded a program for causing a computer to execute the circuit designing method. The circuit designing method comprises the steps of: calculating a first lithography process tolerance, which is an index satisfying a range of a dimensional fluctuation allowed when a basic pattern representative of the circuit pattern is formed on the semiconductor substrate, and calculating a second lithography process tolerance, which is an index capable of avoiding the formation of a side lobe capable of being produced on the semiconductor substrate when the basic pattern is formed on the semiconductor substrate using the half-tone phase shift mask, respectively, using an optical simulation; calculating a common lithography process tolerance comprising an overlapping region of the first lithography process tolerance and the second lithography process tolerance; preparing an inhibiting rule for excluding a circuit pattern including the basic pattern, which is below a reference value previously set on the basis of the common lithography process tolerance, from an object to be designed; and designing a circuit using the inhibiting rule.

Werden einer entwerfenden Methode des Stromkreises mit einer Halbtonphasenverschiebung Schablone für die Formung eines Stromkreismusters auf einem Halbleitersubstrat und einem maschinell lesbaren Mittel, das ein Programm für das Veranlassen eines Computers, die entwerfende Methode des Stromkreises durchzuführen notiert wird zur Verfügung gestellt. Die entwerfende Methode des Stromkreises enthält die Schritte von: die Berechnung einer Prozeßtoleranz der ersten Lithographie, die ein Index ist, der eine Strecke einer Maßfluktuation erfüllt, gewährten, wenn ein grundlegender Musterrepräsentant des Stromkreismusters auf dem Halbleitersubstrat gebildet wird, und eine Prozeßtoleranz der zweiten Lithographie beziehungsweise errechnen, das ein ist Index, der zum Vermeiden der Anordnung eines seitlichen fähig ist Vorsprunges, der zu auf dem Halbleitersubstrat fähig ist produziert werden, wenn das grundlegende Muster auf dem Halbleitersubstrat mit der Halbtonphasenverschiebung Schablone gebildet wird, mit einer optischen Simulation; eine allgemeine Lithographie errechnend, verarbeiten Sie die Toleranz, die eine deckenregion von der Prozeßtoleranz der ersten Lithographie und von der Prozeßtoleranz der zweiten Lithographie enthält; das Vorbereiten einer inhibierenden Richtlinie für das Ausschließen eines Stromkreismusters einschließlich das grundlegende Muster, das unterhalb eines Bezugswertes vorher ist, stellte auf der Grundlage von die allgemeine Lithographieprozeßtoleranz, von einem entworfen zu werden ein Gegenstand,; und einen Stromkreis mit der inhibierenden Richtlinie entwerfend.