The disclosure describes a process for the production of polycrystalline silicon by a thermal decomposition or hydrogen reduction of a reaction gas consisting of silane gas, which comprises additionally introducing hydrogen chloride into the reaction gas and utilizing the reaction heat generated from the reaction between hydrogen chloride and silicon on the inside of the reactor as an additional heat source.

Разоблачение описывает процесс для продукции поликристаллического кремния термально уменьшением разложением или водоподом газа силана газа реакции consist of, который состоит из дополнительн вводить хлорид водопода в газ реакции и использовать жару реакции произведенную от реакции между хлоридом водопода и кремнием на внутренности реактора как дополнительный тепловой источник.

 
Web www.patentalert.com

< (none)

< Production process and apparatus for high purity silicon

> Adsorptive separation product recovery by fractional distillation

> (none)

~ 00037