The present invention relates to low dielectric constant nanoporous silica films and to processes for their manufacture. A substrate, e.g., a wafer suitable for the production of an integrated circuit, having a plurality of raised lines and/or electronic elements present on its surface, is provided with a relatively high porosity, low dielectric constant, silicon-containing polymer film composition.

A invenção atual relaciona-se às películas nanoporous baixas do silicone da constante dieléctrica e aos processos para sua manufatura. _ um carcaça, por exemplo, um wafer apropriado para produção um integrado circuito, t um plurality levant linha e/ou eletrônico elemento atual seu superfície, est forneç com um relativo elevado porosidade, baixo dieléctrico constante, silicone-cont polímero película composição.