High quality epitaxial layers of compound semiconductor materials can be grown overlying large silicon wafers by first growing an accommodating buffer layer on a silicon wafer. The accommodating buffer layer is a layer of monocrystalline oxide spaced apart from the silicon wafer by an amorphous interface layer of silicon oxide. The amorphous interface layer dissipates strain and permits the growth of a high quality monocrystalline oxide accommodating buffer layer. The accommodating buffer layer is lattice matched to both the underlying silicon wafer and the overlying monocrystalline compound semiconductor layer. Any lattice mismatch between the accommodating buffer layer and the underlying silicon substrate is taken care of by the amorphous interface layer.

Hohe Qualitätsepitaxial- Schichten Verbindungshalbleitermaterialien können sein gewachsene darüberliegende große Silikonoblaten, indem sie zuerst eine zuvorkommende Pufferschicht auf einer Silikonoblate wachsen. Die zuvorkommende Pufferschicht ist eine Schicht des monokristallinen Oxids gesperrt abgesehen von der Silikonoblate durch eine formlose Schnittstelle Schicht des Silikonoxids. Die formlose Schnittstelle Schicht zerstreut Belastung und ermöglicht das Wachstum einer zuvorkommenden Pufferschicht des hohe Qualitätsmonokristallinen Oxids. Die zuvorkommende Pufferschicht ist das Gitter, das zur zugrundeliegenden Silikonoblate und zur darüberliegenden monokristallinen Verbindungshalbleiterschicht zusammengebracht wird. Jede mögliche Gitterfehlanpassung zwischen der zuvorkommenden Pufferschicht und dem zugrundeliegenden Silikonsubstrat wird um durch der formlosen Schnittstelle Schicht kümmert.