A spin valve structure, and method for manufacturing it, are described. The valve is subject to only small bias point shifts by sense current fields while at the same time has good GMR characteristics. This is achieved by introducing a layer of about 15 Angstroms of ruthenium between the seed layer and the free layer. This acts as an effective bias control layer with the added benefit of providing interfaces (to both the seed and the free layer) that are highly favorable to specular reflection of the conduction electrons. The HCP crystal structure of this ruthenium layer also improves the crystalline quality of the free layer thereby improving its performance with respect to the GMR ratio.

Una estructura de la válvula de la vuelta, y método para la fabricación, se describe. La válvula está conforme solamente a cambios diagonales pequeñas del punto al lado de los campos actuales del sentido mientras que en el mismo tiempo tiene buenas características de GMR. Esto es alcanzada introduciendo una capa de cerca de 15 angstromes de rutenio entre la capa de la semilla y la capa libre. Esto actúa como una capa diagonal eficaz del control con la ventaja agregada de proporcionar los interfaces (a la semilla y a la capa libre) que son altamente favorables a la reflexión specular de los electrones de la conducción. La estructura cristalina de HCP de esta capa del rutenio también mejora la calidad cristalina de la capa libre de tal modo que mejora su funcionamiento con respecto al cociente de GMR.