A method and apparatus for integrating multipolar confinement with permanent magnetic electron cyclotron resonance plasma sources to produce highly uniform plasma processing for use in semiconductor fabrication and related fields. In a preferred embodiment, the plasma processing apparatus includes a vacuum chamber, a workpiece stage within the chamber, a permanent magnet electron cyclotron resonance plasma source directed at said chamber, and a system of permanent magnets for plasma confinement about the periphery of said chamber. The permanent magnets for plasma confinement are arranged in a multiplicity of rings with the plane of the rings perpendicular to the vacuum chamber axis and to the direction of propagation of the microwave into the vacuum chamber. The number of rings is chosen with respect to the vacuum chamber dimensions to produce a large, low magnetic field region in the region of the vacuum chamber adjacent to the workpiece stage.

Метод и прибор для интегрировать мультиполярное удерживание с постоянными магнитными источниками плазмы резонанса циклотрона электрона для того чтобы произвести высоки равномерную плазму обрабатывая для пользы в изготовлении полупроводника и родственных полях. В предпочитаемое воплощение, плазма обрабатывая прибор вклюает камеру вакуума, этап workpiece внутри камера, постоянный источник плазмы резонанса циклотрона электрона магнита сразу на сказанной камере, и систему постоянных магнитов для удерживания плазмы о периферии сказанной камеры. Постоянные магниты для удерживания плазмы аранжированы в разносторонности колец с плоскостью колец перпендикулярных к оси камеры вакуума и к направлению распространения микроволны в камеру вакуума. Число колец выбран по отношению к размерам камеры вакуума для того чтобы произвести большую, низкую зону магнитного поля в зоне камеры вакуума за этапом workpiece.