A method of manufacturing a semiconductor device using a shallow trench isolation (STI) process comprises the steps of depositing a Si3N4 film (3) by a chemical vapor deposition (CVD) process, polishing a CVD oxide film (6) by a chemical mechanical polishing (CMP). The method further comprises the steps of planarizing with an organic spin-on-glass (SOG) film (7) a rough surface of the silicon substrate resulting from a pattern dependency of polished amounts in the CMP process and etching back evenly the organic SOG film (7) and the CVD oxide film (6) buried in the trench at an etching selectivity ratio of 1.

Une méthode de fabriquer un dispositif de semi-conducteur employant un procédé peu profond de l'isolement de fossé (STI) comporte les étapes de déposer Si3N4 un film (3) par un procédé de la déposition en phase vapeur (CVD), polissant un film d'oxyde de CVD (6) par un polissage mécanique chimique (CMP). La méthode autre comporte les étapes de planarizing avec un film organique du tourner-sur-verre (SOG) (7) une surface approximative du substrat de silicium résultant d'une dépendance de modèle des quantités polies dans le processus de CMP et gravant à l'eau-forte en arrière également le film organique de SOG (7) et le film d'oxyde de CVD (6) enterré dans le fossé à un rapport de sélectivité gravure à l'eau-forte de 1.