A dry-etching method comprises the step of dry-etching a metal thin film as a chromium-containing film, wherein the method is characterized by using, as an etching gas, a mixed gas including (a) a reactive ion etching gas, which contains an oxygen-containing gas and a halogen-containing gas, and (b) a reducing gas added to the gas component (a), in the process for dry-etching the metal thin film. The dry-etching method permits the production of a photomask by forming patterns to be transferred to a wafer on a photomask blank. The photomask can in turn be used for manufacturing semiconductor circuits. The method permits the decrease of the dimensional difference due to the coexistence of coarse and dense patterns in a plane and the production of a high precision pattern-etched product.

Метод сух-vytravlivani4 состоит из шага сух-vytravlivani4 пленка металла тонкая как хроми-soderja пленка, при котором метод охарактеризован путем использование, как газ вытравливания, смешанный газ включая (a) реактивный газ вытравливания иона, который содержит кислород-soderja газ и halogen-containing газ, и (b) уменьшая газ добавленный к компоненту газа (a), в процессе для сух-vytravlivani4 пленка металла тонкая. Метод сух-vytravlivani4 позволяет продукцию photomask путем формировать картины, котор нужно перенести к вафле на пробеле photomask. Photomask можно в свою очередь использовать для цепей полупроводника изготавливания. Метод позволяет уменшение габаритной разницы должной к coexistence грубых и плотных картин в плоскости и продукции продукта высокой точности картин-vytravlennogo.